Samsung започва производство на 2Gb DDR3 по 40nm процес

Компанията Samsung Electronics, която е един от най-големите производители на DDR3 памети в световен мащаб обяви, че започва промишленото производство на двугигабитови DDR3 памети по 40nm процес. Очакванията на Samsung са преходът към новият производствен процес да донесе понижени разходи по изработката и по-добра производителност при ниско ниво на отделяната топлина.

Първоначалните образци показват стабилна работа при скорости от порядъка на 1,6GHz при захранващо напрежение от 1,35V. Преходът към 40nm процес ще донесе на компанията повишение в ефективността от около 60% спрямо 50nm тъй като на същият размер силициева пластина ще могат да се вместят по-голям брой чипове.

По думите на Джон Елиът, вицепрезидент на отдела по маркетинг на паметите в Samsung Semiconductor: "Според нас скоростта на възприемане на DDR3 на пазара нараства, благодарение на което момента е подходящ за представянето на нашите 2 Gb DDR3 модули. Вследствие на 40nm процеса ние ще можем да предложим не само по-ниски цени за паметите но и значително подобрени показатели на работа и нисък разход на енергия – нещо доста важно на сървърният пазар."

Новият процес ще позволи на Samsung не само да изработва модули с обем 2 и 4GB на относително ниска цена но и да започне разработката на RDIMM памети за сървъри с обем 4, 8 или 16GB. Това също така вероятно ще засили позицията на Samsung на пазарът на памети, която към момента и без това е доста стабилна.

Източник: computers.bg