Преодоляна е нова бариера при паметите

Южнокорейската компания Samsung започна масово производство на първите в света 40-нанометрови чипове памет DDR3 с плътност 2 гигабита.

Преди една година Samsung достави първите образци на подобни чипове, но произведени по 50-нанометрова технология.

Преходът към 40 нанометра ще позволи на компанията да увеличи показателите на производството с 60%, в сравнение с 50-нм технологичен процес.

Новите памети на Samsung ще се вграждат в модули RDIMM с капацитет 4, 8 и 16 GB, предназначени за сървъри, в модули UDIMM за работни станции и настолни РС, както и в SODIMM модули за лаптопи.

Чиповете се отличават с висока енергийна ефективност и поддържат скорост на предаване на данни до 1,6 Gbps при захранващо напрeжениe 1,35 волта. Те превъзхождат двойно паметите с два чипа по 1 гигабит и скорост 800 Mbps.

Източник: technews.bg